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各トランジスターの比較まとめ

トランジスターの構造 BJT MOSFET IGBT


ゲート(ベース)
ドライブ方式
電流ドライブ
(低入力インピーダンス)
電圧ドライブ
(高入力インピーダンス)
電圧ドライブ
(高入力インピーダンス)
ゲート(ベース)
ドライブ回路
複雑(部品点数大) 容易 容易
順方向特性 低VCE(sat) 高オン電圧
(大電流領域)
スレッシュホールド電圧無
低VCE(sat)
スレッシュホールド電圧有
スイッチング速度 低速
(キャリア蓄積効果有り)
超高速
(ユニポーラー動作)
高速
(MOSFETとBJTの中間)
FWD
(含内蔵ダイオード)
有 (Body diode) (RC構造*では)
安全動作領域 狭いSOA領域 広い SOA領域 中間的SOA領域

*:構造上、IGBTと並列にダイオードを持つIGBTです。(RC-IGBT : Reverse-conducting IGBT)

第3章 トランジスター

トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET:RDS(ON)の決定要因
MOSFET:低RDS(ON)
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET:ドレイン電流と許容損失
MOSFET:アバランシェ耐量
MOSFET:容量特性
MOSFET:安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT:縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
MOSFET:最大定格
MOSFET:電気的特性
MOSFET:容量・スイッチング特性
MOSFET:ボディーダイオード

関連情報

トランジスターの構造 BJT MOSFET IGBT
BJT MOSFET
IGBT
ゲート(ベース)
ドライブ方式
電流ドライブ
(低入力インピーダンス)
電圧ドライブ
(高入力インピーダンス)
電圧ドライブ
(高入力インピーダンス)
ゲート(ベース)
ドライブ回路
複雑(部品点数大) 容易 容易
順方向特性 低VCE(sat) 高オン電圧(大電流領域)
スレッシュホールド電圧無
低VCE(sat)
スレッシュホールド電圧有
スイッチング速度 低速
(キャリア蓄積効果有り)
超高速
(ユニポーラー動作)
高速
(MOSFETとBJTの中間)
FWD
(含内蔵
ダイオード)
有 (Body diode) (RC構造*では)
安全動作領域 狭いSOA領域 広い SOA領域 中間的SOA領域
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