3-22. 各トランジスターの比較まとめ

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トランジスターの構造 BJT MOSFET IGBT


ゲート(ベース)
ドライブ方式		 電流ドライブ
(低入力インピーダンス)		 電圧ドライブ
(高入力インピーダンス)		 電圧ドライブ
(高入力インピーダンス)
ゲート(ベース)
ドライブ回路		 複雑(部品点数大) 容易 容易
順方向特性 低VCE(sat) 高オン電圧
(大電流領域)
スレッシュホールド電圧無		 低VCE(sat)
スレッシュホールド電圧有
スイッチング速度 低速
(キャリア蓄積効果有り)		 超高速
(ユニポーラー動作)		 高速
(MOSFETとBJTの中間)
FWD
(含内蔵ダイオード)		 無 有 (Body diode) 無(RC構造*では有)
安全動作領域 狭いSOA領域 広い SOA領域 中間的SOA領域

*：構造上、IGBTと並列にダイオードを持つIGBTです。(RC-IGBT : Reverse-conducting IGBT)

第3章　トランジスター

3-1. トランジスターの種類
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3-2. バイポーラートランジスター
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3-3. 抵抗内蔵型トランジスター
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3-4. JFET
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3-5. MOSFET
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3-6. BJTとMOSFETの動作
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3-7. MOSFETの構造と動作
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3-8. MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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3-9. MOSFET：低RDS(ON)化
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3-10. Super Junction MOSFET
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3-11. MOSFETの構造別特長
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3-12. MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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3-13. MOSFET：アバランシェ耐量
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3-14. MOSFET：容量特性
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3-15. MOSFET：安全動作領域(SOA)
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3-16. IGBT
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3-17. IGBTの動作
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3-18. IGBT：縦方向デザインの進化
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3-19. RC-IGBT/IEGTとは
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3-20. IGBTの応用機器
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3-21. IGBTとMOSFETの比較
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3-23. MOSFET：最大定格
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3-24. MOSFET：電気的特性
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3-25. MOSFET：容量・スイッチング特性
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3-26. MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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