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バイポーラートランジスター

npn型とpnp型の2種類があり、npn型は低耐圧から高耐圧の製品がありますが、pnp型は400V以下の製品とりわけ200V以下の製品が主流となっています。
小さい信号を大きな信号に変換する増幅作用があり、コレクター電流ICとベース電流IBの比(IC /IB)を直流電流増幅率と呼び、記号hFEで表します。
BJTのベースからエミッターに電流(IB)を少し流すと、コレクターからエミッターへIB x hFE 分の電流(IC)が流れます。

npnトランジスターの構造・記号
図3-1(a) npnトランジスターの構造・記号
pnpトランジスターの構造・記号
図3-1(b) pnpトランジスターの構造・記号

BJTは、ベース電流によって駆動する電流駆動型です。
npnトランジスターの動作

ベース電流: ベース ⇒ エミッター へ 電流が流れる
コレクター電流: コレクター ⇒ エミッター へ電流が流れる
pnpトランジスターの動作
ベース電流: エミッター ⇒ ベース へ電流が流れる
コレクター電流: エミッタ ー⇒ コレクター へ電流が流れる

第3章 トランジスター

トランジスターの種類
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET:RDS(ON)の決定要因
MOSFET:低RDS(ON)
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET:ドレイン電流と許容損失
MOSFET:アバランシェ耐量
MOSFET:容量特性
MOSFET:安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT:縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET:最大定格
MOSFET:電気的特性
MOSFET:容量・スイッチング特性
MOSFET:ボディーダイオード

関連情報

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