3-2. バイポーラートランジスター

npn型とpnp型の2種類があり、npn型は低耐圧から高耐圧の製品がありますが、pnp型は400V以下の製品とりわけ200V以下の製品が主流となっています。
小さい信号を大きな信号に変換する増幅作用があり、コレクター電流ICとベース電流IBの比(IC /IB)を直流電流増幅率と呼び、記号hFEで表します。
BJTのベースからエミッターに電流(IB)を少し流すと、コレクターからエミッターへIB x hFE 分の電流(IC)が流れます。

npnトランジスターの構造・記号
図3-1(a) npnトランジスターの構造・記号
pnpトランジスターの構造・記号
図3-1(b) pnpトランジスターの構造・記号

BJTは、ベース電流によって駆動する電流駆動型です。
npnトランジスターの動作

ベース電流: ベース ⇒ エミッター へ 電流が流れる
コレクター電流: コレクター ⇒ エミッター へ電流が流れる
pnpトランジスターの動作
ベース電流: エミッター ⇒ ベース へ電流が流れる
コレクター電流: エミッタ ー⇒ コレクター へ電流が流れる

第3章 トランジスター

3-1. トランジスターの種類
3-3. 抵抗内蔵型トランジスター
3-4. JFET
3-5. MOSFET
3-6. BJTとMOSFETの動作
3-7. MOSFETの構造と動作
3-8. MOSFET:RDS(ON)の決定要因
3-9. MOSFET:低RDS(ON)
3-10. Super Junction MOSFET
3-11. MOSFETの構造別特長
3-12. MOSFET:ドレイン電流と許容損失
3-13. MOSFET:アバランシェ耐量
3-14. MOSFET:容量特性
3-15. MOSFET:安全動作領域(SOA)
3-16. IGBT
3-17. IGBTの動作
3-18. IGBT:縦方向デザインの進化
3-19. RC-IGBT/IEGTとは
3-20. IGBTの応用機器
3-21. IGBTとMOSFETの比較
3-22. 各トランジスターの比較まとめ
3-23. MOSFET:最大定格
3-24. MOSFET:電気的特性
3-25. MOSFET:容量・スイッチング特性
3-26. MOSFET:ボディーダイオード

関連情報