バイポーラートランジスター

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npn型とpnp型の２種類があり、npn型は低耐圧から高耐圧の製品がありますが、pnp型は400V以下の製品とりわけ200V以下の製品が主流となっています。
小さい信号を大きな信号に変換する増幅作用があり、コレクター電流ICとベース電流IBの比(IC /IB)を直流電流増幅率と呼び、記号hFEで表します。
BJTのベースからエミッターに電流(IB)を少し流すと、コレクターからエミッターへIB x hFE 分の電流(IC)が流れます。

npnトランジスターの構造・記号
図3-1(a) npnトランジスターの構造・記号
pnpトランジスターの構造・記号
図3-1(b) pnpトランジスターの構造・記号

BJTは、ベース電流によって駆動する電流駆動型です。
npnトランジスターの動作
ベース電流： ベース ⇒ エミッター へ 電流が流れる
コレクター電流： コレクター ⇒ エミッター へ電流が流れる
pnpトランジスターの動作
ベース電流： エミッター ⇒ ベース へ電流が流れる
コレクター電流： エミッタ ー⇒ コレクター へ電流が流れる

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
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抵抗内蔵型トランジスター
詳細
JFET
詳細
MOSFET
詳細
BJTとMOSFETの動作
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MOSFETの構造と動作
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MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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MOSFET：低RDS(ON)化
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Super Junction MOSFET
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MOSFETの構造別特長
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MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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MOSFET：アバランシェ耐量
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MOSFET：容量特性
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MOSFET：安全動作領域(SOA)
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IGBT
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IGBTの動作
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IGBT：縦方向デザインの進化
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RC-IGBT/IEGTとは
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IGBTの応用機器
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IGBTとMOSFETの比較
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各トランジスターの比較まとめ
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MOSFET：最大定格
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MOSFET：電気的特性
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MOSFET：容量・スイッチング特性
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MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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