MOSFETの構造別特長
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各種MOSFETの構造に基づく特長および主な応用を表3-2.に示します。
- 耐圧：ターゲットとする耐圧に対し、最適な構造を選択しています。
- 低オン抵抗化：250V以下の製品ではU-MOSが、それ以上ではSJ-MOS(またはDTMOS)が有利となります。
- 大電流化：低オン抵抗化と同じ傾向になります。
- 高速化：U-MOSはゲートの容量(Ciss)が増加するため高速スイッチングには不利になります。ただし製品によっては低オン抵抗特性を生かし、Ron×Cissを小さく設計した高速スイッチング用も製品化されています。
第3章 トランジスター
トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
MOSFET：低RDS(ON)化
Super Junction MOSFET
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
MOSFET：アバランシェ耐量
MOSFET：容量特性
MOSFET：安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT：縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET：最大定格
MOSFET：電気的特性
MOSFET：容量・スイッチング特性
MOSFET：ボディーダイオード
関連情報
- 製品ページ
- アプリケーションノート
- FAQ
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