3-11. MOSFETの構造別特長

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各種MOSFETの構造に基づく特長および主な応用を表3-2.に示します。

  • 耐圧: ターゲットとする耐圧に対し、最適な構造を選択しています。
  • 低オン抵抗化: 250V以下の製品ではU-MOSが、それ以上ではSJ-MOS (またはDTMOS) が有利となります。
  • 大電流化: 低オン抵抗化と同じ傾向になります。
  • 高速化: U-MOSはゲートの容量 (Ciss) が増加するため高速スイッチングには不利になります。ただし製品によっては低オン抵抗特性を生かし、Ron×Cissを小さく設計した高速スイッチング用も製品化されています。
表3-2. 各種MOSFETの特長と応用
東芝名称 U-MOS π-MOS DTMOS
一般名称 トレンチMOSFET

DMOS プレーナMOSFET

 SJ-MOS
耐圧 〇 ～ 250V ◎ ～ 900V ◎ 600V ～
低オン抵抗化 ◎ △ ◎
大電流化 ◎ △ ◎
高速化 〇/◎
 〇 ◎
応用 分野 バッテリー応用 中小容量コンバーター 大・中容量コンバーター
機器 PCM、NBPC、
DC/DCコンバーター、車載モーター機器		 チャージャー、アダプター中小型TV、
LED証明		 基地局・サーバー電源、中・大型TV、
パワーコンディショナー

第3章　トランジスター

3-1. トランジスターの種類
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3-2. バイポーラートランジスター
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3-3. 抵抗内蔵型トランジスター
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3-4. JFET
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3-5. MOSFET
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3-6. BJTとMOSFETの動作
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3-7. MOSFETの構造と動作
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3-8. MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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3-9. MOSFET：低RDS(ON)化
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3-10. Super Junction MOSFET
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3-12. MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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3-13. MOSFET：アバランシェ耐量
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3-14. MOSFET：容量特性
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3-15. MOSFET：安全動作領域(SOA)
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3-16. IGBT
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3-17. IGBTの動作
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3-18. IGBT：縦方向デザインの進化
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3-19. RC-IGBT/IEGTとは
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3-20. IGBTの応用機器
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3-21. IGBTとMOSFETの比較
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3-22. 各トランジスターの比較まとめ
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3-23. MOSFET：最大定格
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3-24. MOSFET：電気的特性
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3-25. MOSFET：容量・スイッチング特性
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3-26. MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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