MOSFETの構造別特長

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各種MOSFETの構造に基づく特長および主な応用を表3-2.に示します。

  • 耐圧：ターゲットとする耐圧に対し、最適な構造を選択しています。
  • 低オン抵抗化：250V以下の製品ではU-MOSが、それ以上ではSJ-MOS(またはDTMOS)が有利となります。
  • 大電流化：低オン抵抗化と同じ傾向になります。
  • 高速化：U-MOSはゲートの容量(Ciss)が増加するため高速スイッチングには不利になります。ただし製品によっては低オン抵抗特性を生かし、Ron×Cissを小さく設計した高速スイッチング用も製品化されています。
表3-2. 各種MOSFETの特長と応用
東芝名称 U-MOS π-MOS DTMOS
一般名称 トレンチMOSFET

DMOS プレーナMOSFET

 SJ-MOS
耐圧 〇 ～ 250 V ◎ ～ 900 V ◎ 600 V ～
低オン抵抗化 ◎ △ ◎
大電流化 ◎ △ ◎
高速化 〇/◎
 〇 ◎
応用 分野 バッテリー応用 中小容量コンバーター 大・中容量コンバーター
機器 PCM,NBPC,
DC/DCコンバーター、車載モーター機器		 チャージャー、アダプター中小型TV、
LED証明		 基地局・サーバー電源、中・大型TV、
パワーコンディショナー

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
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バイポーラートランジスター
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抵抗内蔵型トランジスター
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JFET
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MOSFET
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BJTとMOSFETの動作
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MOSFETの構造と動作
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MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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MOSFET：低RDS(ON)化
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Super Junction MOSFET
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MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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MOSFET：アバランシェ耐量
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MOSFET：容量特性
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MOSFET：安全動作領域(SOA)
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IGBT
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IGBTの動作
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IGBT：縦方向デザインの進化
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RC-IGBT/IEGTとは
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IGBTの応用機器
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IGBTとMOSFETの比較
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各トランジスターの比較まとめ
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MOSFET：最大定格
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MOSFET：電気的特性
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MOSFET：容量・スイッチング特性
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MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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