3-3. 抵抗内蔵型トランジスター

「第3章　トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB) 

BRTは、BJTに抵抗を内蔵したものです。電子機器の応用では、ＢJＴは抵抗とともに使用することが多く、トランジスターと抵抗を一体化した抵抗内蔵トランジスター(BRT)を使用することにより実装面積を削減できます。

BJTの実応用例/BRTの等価回路
BJTのベース回路に抵抗が必要な理由
図3-2(c) BJTのベース回路に抵抗が必要な理由

第3章　トランジスター

3-1. トランジスターの種類
詳細
3-2. バイポーラートランジスター
詳細
3-4. JFET
詳細
3-5. MOSFET
詳細
3-6. BJTとMOSFETの動作
詳細
3-7. MOSFETの構造と動作
詳細
3-8. MOSFET：RDS(ON)の決定要因
詳細
3-9. MOSFET：低RDS(ON)化
詳細
3-10. Super Junction MOSFET
詳細
3-11. MOSFETの構造別特長
詳細
3-12. MOSFET：ドレイン電流と許容損失
詳細
3-13. MOSFET：アバランシェ耐量
詳細
3-14. MOSFET：容量特性
詳細
3-15. MOSFET：安全動作領域(SOA)
詳細
3-16. IGBT
詳細
3-17. IGBTの動作
詳細
3-18. IGBT：縦方向デザインの進化
詳細
3-19. RC-IGBT/IEGTとは
詳細
3-20. IGBTの応用機器
詳細
3-21. IGBTとMOSFETの比較
詳細
3-22. 各トランジスターの比較まとめ
詳細
3-23. MOSFET：最大定格
詳細
3-24. MOSFET：電気的特性
詳細
3-25. MOSFET：容量・スイッチング特性
詳細
3-26. MOSFET：ボディーダイオード
詳細

関連情報

ディスクリート半導体の基礎へ戻る

別ウインドウにて開きます