抵抗内蔵型トランジスター

「第3章　トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB) 

BRTは、BJTに抵抗を内蔵したものです。電子機器の応用では、ＢJＴは抵抗とともに使用することが多く、トランジスターと抵抗を一体化した抵抗内蔵トランジスター(BRT)を使用することにより実装面積を削減できます。

BJTの実応用例/BRTの等価回路
BJTのベース回路に抵抗が必要な理由
図3-2(c) BJTのベース回路に抵抗が必要な理由

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
詳細
バイポーラートランジスター
詳細
JFET
詳細
MOSFET
詳細
BJTとMOSFETの動作
詳細
MOSFETの構造と動作
詳細
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
詳細
MOSFET：低RDS(ON)化
詳細
Super Junction MOSFET
詳細
MOSFETの構造別特長
詳細
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
詳細
MOSFET：アバランシェ耐量
詳細
MOSFET：容量特性
詳細
MOSFET：安全動作領域(SOA)
詳細
IGBT
詳細
IGBTの動作
詳細
IGBT：縦方向デザインの進化
詳細
RC-IGBT/IEGTとは
詳細
IGBTの応用機器
詳細
IGBTとMOSFETの比較
詳細
各トランジスターの比較まとめ
詳細
MOSFET：最大定格
詳細
MOSFET：電気的特性
詳細
MOSFET：容量・スイッチング特性
詳細
MOSFET：ボディーダイオード
詳細

関連情報

ディスクリート半導体の基礎へ戻る

別ウインドウにて開きます