3-10. Super Junction MOSFET

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(1) SJ-MOSはn型領域の一部にp型領域を柱状(p型ピラー層)を形成し、p型とn型領域を交互に配置します。(図3-9(b))
(2) ドレイン・ソース間に電圧VDSを印加するとドリフト層であるn型領域に空乏層が広がりますが、一般的なDMOSとSJ-MOSではその拡がり方が異なります。(図3-9(a)／(b)の電界強度図参照、電界強度は空乏層内の状態を示しています。)
(3) DMOSでは、p型/n型領域の界面が最も高い電界強度となり、この部分が材料であるシリコンの限界値を超えた場合にブレークオーバー(降伏現象)が発生し、耐圧の限界となります。
他方、SJ-MOSは、n型領域がほぼ均一の電界強度となります。
(4) したがって、SJ-MOSはより低抵抗(高濃度)のn型領域を形成出来るので低オン抵抗の製品が可能となります。
　⇒ SJ-MOSはDMOSと同じサイズのチップでより低抵抗を実現できます。

DMOSの構造と電界
図3-9(a) DMOSの構造と電界
SJ-MOSの構造と電界
図3-9(b) SJ-MOSの構造と電界

第3章　トランジスター

3-1. トランジスターの種類
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3-2. バイポーラートランジスター
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3-3. 抵抗内蔵型トランジスター
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3-4. JFET
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3-5. MOSFET
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3-6. BJTとMOSFETの動作
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3-7. MOSFETの構造と動作
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3-8. MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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3-9. MOSFET：低RDS(ON)化
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3-11. MOSFETの構造別特長
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3-12. MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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3-13. MOSFET：アバランシェ耐量
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3-14. MOSFET：容量特性
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3-15. MOSFET：安全動作領域(SOA)
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3-16. IGBT
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3-17. IGBTの動作
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3-18. IGBT：縦方向デザインの進化
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3-19. RC-IGBT/IEGTとは
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3-20. IGBTの応用機器
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3-21. IGBTとMOSFETの比較
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3-22. 各トランジスターの比較まとめ
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3-23. MOSFET：最大定格
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3-24. MOSFET：電気的特性
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3-25. MOSFET：容量・スイッチング特性
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3-26. MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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