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現在、トランジスターの中で最も注目を集めているのが、この絶縁ゲート電界効果トランジスターMOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)です。
このMOSFETには、Nチャネル(図3-4(a)参照、以下Nch)と Pチャネル(図3-4(b)参照、以下Pch)の2種類があり、NchはAC/DC電源、DC/DCコンバーターおよびインバーター機器他、Pchはロードスイッチ、ハイサイドスイッチなど広く使用されています。
このMOSFETは、ゲート・ソース間電圧でドレイン電流を制御する電圧駆動型のトランジスターでバイポーラートランジスターBJTと比較すると表3-1.に示す違いがあります。

Nチャネル型MOSFETの記号と動作
図3-4(a) Nチャネル型MOSFETの記号と動作
Pチャネル型MOSFETの記号と動作
図3-4(b) Pチャネル型MOSFETの記号と動作
BJT(電流駆動素子) MOSFET(電圧駆動素子)
  • 入力インピーダンス小さい
  • 帰還容量が大きい
  • 安全動作領域が狭い
  • 低電圧動作が可能(オン電圧は0.6-0.7V)
  • 入力インピーダンス大きい
  • 帰還容量が小さい
  • 安全動作領域が広い
  • ゲート低消費電力
  • 駆動が簡単

表 3-1 BJTとMOSFETの比較

第3章 トランジスター

トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET:RDS(ON)の決定要因
MOSFET:低RDS(ON)
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET:ドレイン電流と許容損失
MOSFET:アバランシェ耐量
MOSFET:容量特性
MOSFET:安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT:縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET:最大定格
MOSFET:電気的特性
MOSFET:容量・スイッチング特性
MOSFET:ボディーダイオード

関連情報