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MOSFET
現在、トランジスターの中で最も注目を集めているのが、この絶縁ゲート電界効果トランジスターMOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)です。
このMOSFETには、Nチャネル(図3-4(a)参照、以下Nch)と Pチャネル(図3-4(b)参照、以下Pch)の２種類があり、NchはAC/DC電源、DC/DCコンバーターおよびインバーター機器他、Pchはロードスイッチ、ハイサイドスイッチなど広く使用されています。
このMOSFETは、ゲート・ソース間電圧でドレイン電流を制御する電圧駆動型のトランジスターでバイポーラートランジスターBJTと比較すると表3-1.に示す違いがあります。
| BJT(電流駆動素子) | MOSFET(電圧駆動素子) |
|---|---|
|
|
表 3-1 BJTとMOSFETの比較
第3章 トランジスター
トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
MOSFET：低RDS(ON)化
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
MOSFET：アバランシェ耐量
MOSFET：容量特性
MOSFET：安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT：縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET：最大定格
MOSFET：電気的特性
MOSFET：容量・スイッチング特性
MOSFET：ボディーダイオード
関連情報
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