MOSFET

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現在、トランジスターの中で最も注目を集めているのが、この絶縁ゲート電界効果トランジスターMOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)です。
このMOSFETには、Nチャネル(図3-4(a)参照、以下Nch)と Pチャネル(図3-4(b)参照、以下Pch)の２種類があり、NchはAC/DC電源、DC/DCコンバーターおよびインバーター機器他、Pchはロードスイッチ、ハイサイドスイッチなど広く使用されています。
このMOSFETは、ゲート・ソース間電圧でドレイン電流を制御する電圧駆動型のトランジスターでバイポーラートランジスターBJTと比較すると表3-1.に示す違いがあります。

Nチャネル型MOSFETの記号と動作
図3-4(a) Nチャネル型MOSFETの記号と動作
Pチャネル型MOSFETの記号と動作
図3-4(b) Pチャネル型MOSFETの記号と動作
BJT(電流駆動素子) MOSFET(電圧駆動素子)
  • 入力インピーダンス小さい
  • 帰還容量が大きい
  • 安全動作領域が狭い
  • 低電圧動作が可能(オン電圧は0.6-0.7V)
  • 入力インピーダンス大きい
  • 帰還容量が小さい
  • 安全動作領域が広い
  • ゲート低消費電力
  • 駆動が簡単

表 3-1 BJTとMOSFETの比較

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
詳細
バイポーラートランジスター
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抵抗内蔵型トランジスター
詳細
JFET
詳細
BJTとMOSFETの動作
詳細
MOSFETの構造と動作
詳細
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
詳細
MOSFET：低RDS(ON)化
詳細
Super Junction MOSFET
詳細
MOSFETの構造別特長
詳細
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
詳細
MOSFET：アバランシェ耐量
詳細
MOSFET：容量特性
詳細
MOSFET：安全動作領域(SOA)
詳細
IGBT
詳細
IGBTの動作
詳細
IGBT：縦方向デザインの進化
詳細
RC-IGBT/IEGTとは
詳細
IGBTの応用機器
詳細
IGBTとMOSFETの比較
詳細
各トランジスターの比較まとめ
詳細
MOSFET：最大定格
詳細
MOSFET：電気的特性
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MOSFET：容量・スイッチング特性
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MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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