3-5. MOSFET

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現在、トランジスターの中で最も注目を集めているのが、この絶縁ゲート電界効果トランジスターMOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)です。
このMOSFETには、Nチャネル(図3-4(a)参照、以下Nch)と Pチャネル(図3-4(b)参照、以下Pch)の２種類があり、NchはAC/DC電源、DC/DCコンバーターおよびインバーター機器他、Pchはロードスイッチ、ハイサイドスイッチなど広く使用されています。
このMOSFETは、ゲート・ソース間電圧でドレイン電流を制御する電圧駆動型のトランジスターでバイポーラートランジスターBJTと比較すると表3-1.に示す違いがあります。

Nチャネル型MOSFETの記号と動作
図3-4(a) Nチャネル型MOSFETの記号と動作
Pチャネル型MOSFETの記号と動作
図3-4(b) Pチャネル型MOSFETの記号と動作
BJT(電流駆動素子) MOSFET(電圧駆動素子)
  • 入力インピーダンス小さい
  • 帰還容量が大きい
  • 安全動作領域が狭い
  • 低電圧動作が可能(オン電圧は0.6-0.7V)
  • 入力インピーダンス大きい
  • 帰還容量が小さい
  • 安全動作領域が広い
  • ゲート低消費電力
  • 駆動が簡単

表 3-1 BJTとMOSFETの比較

第3章　トランジスター

3-1. トランジスターの種類
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3-2. バイポーラートランジスター
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3-3. 抵抗内蔵型トランジスター
詳細
3-4. JFET
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3-6. BJTとMOSFETの動作
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3-7. MOSFETの構造と動作
詳細
3-8. MOSFET：RDS(ON)の決定要因
詳細
3-9. MOSFET：低RDS(ON)化
詳細
3-10. Super Junction MOSFET
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3-11. MOSFETの構造別特長
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3-12. MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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3-13. MOSFET：アバランシェ耐量
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3-14. MOSFET：容量特性
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3-15. MOSFET：安全動作領域(SOA)
詳細
3-16. IGBT
詳細
3-17. IGBTの動作
詳細
3-18. IGBT：縦方向デザインの進化
詳細
3-19. RC-IGBT/IEGTとは
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3-20. IGBTの応用機器
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3-21. IGBTとMOSFETの比較
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3-22. 各トランジスターの比較まとめ
詳細
3-23. MOSFET：最大定格
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3-24. MOSFET：電気的特性
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3-25. MOSFET：容量・スイッチング特性
詳細
3-26. MOSFET：ボディーダイオード
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