3-13. MOSFET：アバランシェ耐量

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MOSFET*は、ある一定のエネルギー、ドレイン電流以内でかつ定格チャネル温度Tch以下であれば、定格電圧のVDSSを超えても破壊しないという性能を有しています。これをアバランシェ耐量と呼び、許容されるエネルギーをアバランシェエネルギー、電流をアバランシェ電流といいます。

アバランシェ耐量(エネルギー、電流)試験回路・波形とアバランシェエネルギーの算出方法
図3-10 アバランシェ耐量(エネルギー、電流)試験回路・波形とアバランシェエネルギーの算出方法

*：アバランシェ耐量を保証していない製品もあります

第3章　トランジスター

3-1. トランジスターの種類
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3-2. バイポーラートランジスター
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3-3. 抵抗内蔵型トランジスター
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3-4. JFET
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3-5. MOSFET
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3-6. BJTとMOSFETの動作
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3-7. MOSFETの構造と動作
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3-8. MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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3-9. MOSFET：低RDS(ON)化
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3-10. Super Junction MOSFET
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3-11. MOSFETの構造別特長
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3-12. MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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3-14. MOSFET：容量特性
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3-15. MOSFET：安全動作領域(SOA)
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3-16. IGBT
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3-17. IGBTの動作
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3-18. IGBT：縦方向デザインの進化
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3-19. RC-IGBT/IEGTとは
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3-20. IGBTの応用機器
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3-21. IGBTとMOSFETの比較
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3-22. 各トランジスターの比較まとめ
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3-23. MOSFET：最大定格
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3-24. MOSFET：電気的特性
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3-25. MOSFET：容量・スイッチング特性
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3-26. MOSFET：ボディーダイオード
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