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MOSFET:アバランシェ耐量

MOSFET*は、ある一定のエネルギー、ドレイン電流以内でかつ定格チャネル温度Tch以下であれば、定格電圧のVDSSを超えても破壊しないという性能を有しています。これをアバランシェ耐量と呼び、許容されるエネルギーをアバランシェエネルギー、電流をアバランシェ電流といいます。

アバランシェ耐量(エネルギー、電流)試験回路・波形とアバランシェエネルギーの算出方法
図3-10 アバランシェ耐量(エネルギー、電流)試験回路・波形とアバランシェエネルギーの算出方法

*:アバランシェ耐量を保証していない製品もあります

第3章 トランジスター

トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET:RDS(ON)の決定要因
MOSFET:低RDS(ON)
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET:ドレイン電流と許容損失
MOSFET:容量特性
MOSFET:安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT:縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET:最大定格
MOSFET:電気的特性
MOSFET:容量・スイッチング特性
MOSFET:ボディーダイオード

関連情報