MOSFET：アバランシェ耐量

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MOSFET*は、ある一定のエネルギー、ドレイン電流以内でかつ定格チャネル温度Tch以下であれば、定格電圧のVDSSを超えても破壊しないという性能を有しています。これをアバランシェ耐量と呼び、許容されるエネルギーをアバランシェエネルギー、電流をアバランシェ電流といいます。

アバランシェ耐量(エネルギー、電流)試験回路・波形とアバランシェエネルギーの算出方法
図3-10 アバランシェ耐量(エネルギー、電流)試験回路・波形とアバランシェエネルギーの算出方法

*：アバランシェ耐量を保証していない製品もあります

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
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バイポーラートランジスター
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抵抗内蔵型トランジスター
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JFET
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MOSFET
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BJTとMOSFETの動作
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MOSFETの構造と動作
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MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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MOSFET：低RDS(ON)化
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Super Junction MOSFET
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MOSFETの構造別特長
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MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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MOSFET：容量特性
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MOSFET：安全動作領域(SOA)
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IGBT
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IGBTの動作
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IGBT：縦方向デザインの進化
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RC-IGBT/IEGTとは
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IGBTの応用機器
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IGBTとMOSFETの比較
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各トランジスターの比較まとめ
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MOSFET：最大定格
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MOSFET：電気的特性
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MOSFET：容量・スイッチング特性
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MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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