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MOSFET：容量特性
Ciss、Crss、Coss いずれの容量特性もMOSFETのスイッチング特性に影響を及ぼす重要な要素です。
Ciss: 入力容量 (Ciss=Cgd+Cgs) ⇒ ゲート・ドレイン間容量とゲート・ソース間容量の和：遅延時間に影響
Cissが大きくなる程、遅延時間が長くなります。
Crss: 帰還容量 (Crss = Cgd) ⇒ ゲート・ドレイン間容量：高速化のためには低容量化が必要
Crssが大きい場合、ドレイン電流立ち上がり特性が悪くなり損失的に不利に働きます。
Coss: 出力容量 (Coss=Cgd+Cds) ⇒ ゲート・ドレイン間容量とドレイン・ソース間容量の和：
ターンオフ特性及び軽負荷時の損失へ影響
Coss大の場合、ターンオフdv/dtは小さくなりノイズ的には有利ですが、軽負荷時の損失が大きくなります。
第3章 トランジスター
トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
MOSFET：低RDS(ON)化
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
MOSFET：アバランシェ耐量
MOSFET：安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT：縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET：最大定格
MOSFET：電気的特性
MOSFET：容量・スイッチング特性
MOSFET：ボディーダイオード
関連情報
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