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MOSFET:容量特性

Ciss、Crss、Coss いずれの容量特性もMOSFETのスイッチング特性に影響を及ぼす重要な要素です。
Ciss: 入力容量
 (Ciss=Cgd+Cgs) ⇒ ゲート・ドレイン間容量とゲート・ソース間容量の和:遅延時間に影響
Cissが大きくなる程、遅延時間が長くなります。
Crss: 帰還容量 (Crss = Cgd) ⇒ ゲート・ドレイン間容量:高速化のためには低容量化が必要
Crssが大きい場合、ドレイン電流立ち上がり特性が悪くなり損失的に不利に働きます。
Coss: 出力容量 (Coss=Cgd+Cds) ⇒ ゲート・ドレイン間容量とドレイン・ソース間容量の和:
ターンオフ特性及び軽負荷時の損失へ影響
Coss大の場合、ターンオフdv/dtは小さくなりノイズ的には有利ですが、軽負荷時の損失が大きくなります。

MOSFETの容量モデル
図3-11(a) MOSFETの容量モデル
MOSFETの代表的な容量特性
図3-11(b) MOSFETの代表的な容量特性

第3章 トランジスター

トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET:RDS(ON)の決定要因
MOSFET:低RDS(ON)
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET:ドレイン電流と許容損失
MOSFET:アバランシェ耐量
MOSFET:安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT:縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET:最大定格
MOSFET:電気的特性
MOSFET:容量・スイッチング特性
MOSFET:ボディーダイオード

関連情報