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3-14. MOSFET：容量特性
「第3章 トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB)
Ciss、Crss、Coss いずれの容量特性もMOSFETのスイッチング特性に影響を及ぼす重要な要素です。
Ciss: 入力容量 (Ciss=Cgd+Cgs) ⇒ ゲート・ドレイン間容量とゲート・ソース間容量の和: 遅延時間に影響
Cissが大きくなる程、遅延時間が長くなります。
Crss: 帰還容量 (Crss = Cgd) ⇒ ゲート・ドレイン間容量: 高速化のためには低容量化が必要
Crssが大きい場合、ドレイン電流立ち上がり特性が悪くなり損失的に不利に働きます。
Coss: 出力容量 (Coss=Cgd+Cds) ⇒ ゲート・ドレイン間容量とドレイン・ソース間容量の和:
ターンオフ特性及び軽負荷時の損失へ影響
Cossが大の場合、ターンオフdv/dtは小さくなりノイズ的には有利ですが、軽負荷時の損失が大きくなります。
第3章 トランジスター
関連情報
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- FAQ