MOSFET：容量特性

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Ciss、Crss、Coss いずれの容量特性もMOSFETのスイッチング特性に影響を及ぼす重要な要素です。
Ciss: 入力容量 (Ciss=Cgd+Cgs) ⇒ ゲート・ドレイン間容量とゲート・ソース間容量の和：遅延時間に影響
Cissが大きくなる程、遅延時間が長くなります。
Crss: 帰還容量 (Crss = Cgd) ⇒ ゲート・ドレイン間容量：高速化のためには低容量化が必要
Crssが大きい場合、ドレイン電流立ち上がり特性が悪くなり損失的に不利に働きます。
Coss: 出力容量 (Coss=Cgd+Cds) ⇒ ゲート・ドレイン間容量とドレイン・ソース間容量の和：
ターンオフ特性及び軽負荷時の損失へ影響
Coss大の場合、ターンオフdv/dtは小さくなりノイズ的には有利ですが、軽負荷時の損失が大きくなります。

MOSFETの容量モデル
図3-11(a) MOSFETの容量モデル
MOSFETの代表的な容量特性
図3-11(b) MOSFETの代表的な容量特性

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
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バイポーラートランジスター
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抵抗内蔵型トランジスター
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JFET
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MOSFET
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BJTとMOSFETの動作
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MOSFETの構造と動作
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MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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MOSFET：低RDS(ON)化
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Super Junction MOSFET
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MOSFETの構造別特長
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MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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MOSFET：アバランシェ耐量
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MOSFET：安全動作領域(SOA)
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IGBT
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IGBTの動作
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IGBT：縦方向デザインの進化
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RC-IGBT/IEGTとは
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IGBTの応用機器
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IGBTとMOSFETの比較
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各トランジスターの比較まとめ
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MOSFET：最大定格
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MOSFET：電気的特性
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MOSFET：容量・スイッチング特性
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MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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