3-23. MOSFET：最大定格

≪ 絶対最大定格≫

• ドレイン･ソース間電圧 (V_DSS)
  ドレイン･ソース間に印加できる最大電圧です。
• ゲート･ソース間電圧 (V_GSS)
  ゲート･ソース間の絶縁膜に印加できる最大電圧です。ゲート駆動印加電圧がサージを含め、この電圧を超えないように設計します。
• ドレイン電流 DC (I_D)
  直流電流の最大値です。
• ドレイン電流 パルス (I_DP)
  パルス電流の最大値です。通常パルス幅は安全動作領域に記載しています。
• 許容損失 (P_D)
  Ｔｃ＝25℃の場合にデバイスで発生させることのできる損失です。許容できる熱容量です。
• アバランシェエネルギー  単発と連続　(E_AS)
  指定の条件下で許容できるエネルギーの最大値です。
• アバランシェ電流 (I_AR)
  アバランシェ動作時に通電できる最大の電流値です。
• チャネル温度 (T_ch)
  動作可能なチャネルの最大温度です。
• 保存温度 (T_stg)
  MOSFETを動作させないで保管する場合の温度範囲です。

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