MOSFET：最大定格
「第3章 トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB)
≪ 絶対最大定格≫
- ドレイン･ソース間電圧 (VDSS)
ドレイン･ソース間に印加できる最大電圧です。 - ゲート･ソース間電圧 (VGSS)
ゲート･ソース間の絶縁膜に印加できる最大電圧です。ゲート駆動印加電圧がサージを含め、この電圧を超えないように設計します。 - ドレイン電流 DC (ID)
直流電流の最大値です。 - ドレイン電流 パルス (IDP)
パルス電流の最大値です。通常パルス幅は安全動作領域に記載しています。 - 許容損失 (PD)
Ｔｃ＝25℃の場合にデバイスで発生させることのできる損失です。許容できる熱容量です。 - アバランシェエネルギー 単発と連続 (EAS)
指定の条件下で許容できるエネルギーの最大値です。 - アバランシェ電流 (IAR)
アバランシェ動作時に通電できる最大の電流値です。 - チャネル温度 (Tch)
動作可能なチャネルの最大温度です。 - 保存温度 (Tstg)
MOSFETを動作させないで保管する場合の温度範囲です。
注1：チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用ください。
注2：アバランシェエネルギー(単発)印加条件 VDD = 90 V, Tch = 25℃ (初期) , L = 0.9 mH, RG = 25 W,
IAR = 13 A
注3：連続印加の際, パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。
第3章 トランジスター
トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
MOSFET：低RDS(ON)化
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
MOSFET：アバランシェ耐量
MOSFET：容量特性
MOSFET：安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT：縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET：電気的特性
MOSFET：容量・スイッチング特性
MOSFET：ボディーダイオード
関連情報
- 製品ページ
- アプリケーションノート
- FAQ
別ウインドウにて開きます