品番検索

クロスリファレンス検索

クロスリファレンス検索で表示される情報について

クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。
当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。

キーワード検索

パラメトリック検索

オンラインディストリビューター在庫検索

オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。

MOSFET:最大定格

≪ 絶対最大定格≫

  • ドレイン・ソース間電圧 (VDSS)
    ドレイン・ソース間に印加できる最大電圧です。
  • ゲート・ソース間電圧 (VGSS)
    ゲート・ソース間の絶縁膜に印加できる最大電圧です。ゲート駆動印加電圧がサージを含め、この電圧を超えないように設計します。
  • ドレイン電流 DC (ID)
    直流電流の最大値です。
  • ドレイン電流 パルス (IDP)
    パルス電流の最大値です。通常パルス幅は安全動作領域に記載しています。
  • 許容損失 (PD)
    Tc=25℃の場合にデバイスで発生させることのできる損失です。許容できる熱容量です。
  • アバランシェエネルギー  単発と連続 (EAS)
    指定の条件下で許容できるエネルギーの最大値です。
  • アバランシェ電流 (IAR)
    アバランシェ動作時に通電できる最大の電流値です。
  • チャネル温度 (Tch)
    動作可能なチャネルの最大温度です。
  • 保存温度 (Tstg)
    MOSFETを動作させないで保管する場合の温度範囲です。
絶対最大定格

注1:チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用ください。
注2:アバランシェエネルギー(単発)印加条件 VDD = 90 V, Tch = 25℃ (初期) , L = 0.9 mH, RG = 25 W,
IAR = 13 A
注3:連続印加の際, パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。

第3章 トランジスター

トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET:RDS(ON)の決定要因
MOSFET:低RDS(ON)
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET:ドレイン電流と許容損失
MOSFET:アバランシェ耐量
MOSFET:容量特性
MOSFET:安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT:縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET:電気的特性
MOSFET:容量・スイッチング特性
MOSFET:ボディーダイオード

関連情報

別ウインドウにて開きます