MOSFET：最大定格

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≪ 絶対最大定格≫

  • ドレイン･ソース間電圧 (VDSS)
    ドレイン･ソース間に印加できる最大電圧です。
  • ゲート･ソース間電圧 (VGSS)
    ゲート･ソース間の絶縁膜に印加できる最大電圧です。ゲート駆動印加電圧がサージを含め、この電圧を超えないように設計します。
  • ドレイン電流 DC (ID)
    直流電流の最大値です。
  • ドレイン電流 パルス (IDP)
    パルス電流の最大値です。通常パルス幅は安全動作領域に記載しています。
  • 許容損失 (PD)
    Ｔｃ＝25℃の場合にデバイスで発生させることのできる損失です。許容できる熱容量です。
  • アバランシェエネルギー  単発と連続　(EAS)
    指定の条件下で許容できるエネルギーの最大値です。
  • アバランシェ電流 (IAR)
    アバランシェ動作時に通電できる最大の電流値です。
  • チャネル温度 (Tch)
    動作可能なチャネルの最大温度です。
  • 保存温度 (Tstg)
    MOSFETを動作させないで保管する場合の温度範囲です。
絶対最大定格

注1：チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用ください。
注2：アバランシェエネルギー(単発)印加条件　VDD = 90 V, Tch = 25℃ (初期) , L = 0.9 mH, RG = 25 W,
IAR = 13 A
注3：連続印加の際, パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
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バイポーラートランジスター
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抵抗内蔵型トランジスター
詳細
JFET
詳細
MOSFET
詳細
BJTとMOSFETの動作
詳細
MOSFETの構造と動作
詳細
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
詳細
MOSFET：低RDS(ON)化
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Super Junction MOSFET
詳細
MOSFETの構造別特長
詳細
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
詳細
MOSFET：アバランシェ耐量
詳細
MOSFET：容量特性
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MOSFET：安全動作領域(SOA)
詳細
IGBT
詳細
IGBTの動作
詳細
IGBT：縦方向デザインの進化
詳細
RC-IGBT/IEGTとは
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IGBTの応用機器
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IGBTとMOSFETの比較
詳細
各トランジスターの比較まとめ
詳細
MOSFET：電気的特性
詳細
MOSFET：容量・スイッチング特性
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MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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