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MOSFETの構造と動作

図3-6(a)のプレーナーMOSFETで説明します。
(1) ドレイン・ソース間にドレイン+極性で電圧を印加します。(ドレイン・ソース間電圧:VDS)
(2) ゲート・ソース間にゲート+極性で電圧を印加します。(ゲート・ソース間電圧:VGS)
(3) その結果、ゲート酸化絶縁膜直下のp型領域に電子(エレクトロン)が引き寄せられ、p型領域の一部がn化されます。 (このp型領域のn化された層のことを“反転層 (チャネル) ”といいます。)
(4) (3)の反転層によりMOSFETは、ドレイン側より n+⇔ n-⇔反転層(n)⇔n+ と全領域がn型領域となります。
(5) この結果、MOSFETは低抵抗として動作しますので、印加されたVDSと負荷で決定されるドレイン電流が流れる事になります。

n/pの後の”+”、”-”は不純物の濃度のレベルを示します。 “+”は、高濃度で低抵抗、”-”は低濃度で高抵抗となります。

第3章 トランジスター

トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFET:RDS(ON)の決定要因
MOSFET:低RDS(ON)
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET:ドレイン電流と許容損失
MOSFET:アバランシェ耐量
MOSFET:容量特性
MOSFET:安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT:縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET:最大定格
MOSFET:電気的特性
MOSFET:容量・スイッチング特性
MOSFET:ボディーダイオード

関連情報

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