MOSFETの構造と動作

「第3章　トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB) 

図3-6(a)のプレーナーMOSFETで説明します。
(1) ドレイン・ソース間にドレイン＋極性で電圧を印加します。(ドレイン・ソース間電圧：VDS)
(2) ゲート・ソース間にゲート＋極性で電圧を印加します。(ゲート・ソース間電圧：VGS)
(3) その結果、ゲート酸化絶縁膜直下のp型領域に電子(エレクトロン)が引き寄せられ、p型領域の一部がn化されます。 (このp型領域のn化された層のことを“反転層 (チャネル) ”といいます。)
(4) (3)の反転層によりMOSFETは、ドレイン側より n+⇔ n-⇔反転層(n)⇔n+ と全領域がn型領域となります。
(5) この結果、MOSFETは低抵抗として動作しますので、印加されたVDSと負荷で決定されるドレイン電流が流れる事になります。

プレーナーMOSFETの構造と動作
図3-6(a) プレーナーMOSFETの構造と動作
トレンチMOSFETの構造と動作
図3-6(b) トレンチMOSFETの構造と動作

n/pの後の”+”、”-”は不純物の濃度のレベルを示します。 “+”は、高濃度で低抵抗、”-”は低濃度で高抵抗となります。

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
詳細
バイポーラートランジスター
詳細
抵抗内蔵型トランジスター
詳細
JFET
詳細
MOSFET
詳細
BJTとMOSFETの動作
詳細
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
詳細
MOSFET：低RDS(ON)化
詳細
Super Junction MOSFET
詳細
MOSFETの構造別特長
詳細
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
詳細
MOSFET：アバランシェ耐量
詳細
MOSFET：容量特性
詳細
MOSFET：安全動作領域(SOA)
詳細
IGBT
詳細
IGBTの動作
詳細
IGBT：縦方向デザインの進化
詳細
RC-IGBT/IEGTとは
詳細
IGBTの応用機器
詳細
IGBTとMOSFETの比較
詳細
各トランジスターの比較まとめ
詳細
MOSFET：最大定格
詳細
MOSFET：電気的特性
詳細
MOSFET：容量・スイッチング特性
詳細
MOSFET：ボディーダイオード
詳細

関連情報

ディスクリート半導体の基礎へ戻る

別ウインドウにて開きます