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MOSFET:電気的特性

≪熱抵抗特性≫
チャネル温度を計算するために使用します。

熱抵抗特性

≪電気的特性≫

  • ゲート漏れ電流 (IGSS)
    ゲート・ソース間のしゃ断電流です。
  • ドレインしゃ断電流 (IDSS)
    ドレイン・ソース間のしゃ断電流です。
  • ドレイン・ソース間降伏電圧 (V(BR)DSS)
    ドレイン・ソース間のブレークダウン電圧。チャネルが形成されないようにゲートとソース間をショートします。
  • ゲートしきい値電圧 (Vth)
    規定のドレイン電流を流すゲート・ソース間の電圧です。
  • ドレイン・ソース間オン抵抗 (RDS(ON))
    バイポーラートランジスターのコレクター・エミッター間飽和電圧VCE(sat)に対応するものです。指定の条件での電圧降下を抵抗として表したものです。正の温度係数を持っています。
  • 順方向伝達アドミタンス (|Yfs|)
    出力電流の変化分とゲート入力電圧の変化分の比です。単位は“S”: ジーメンス、[A]/[V]です。
電気的特性

第3章 トランジスター

トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET:RDS(ON)の決定要因
MOSFET:低RDS(ON)
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET:ドレイン電流と許容損失
MOSFET:アバランシェ耐量
MOSFET:容量特性
MOSFET:安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT:縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET:最大定格
MOSFET:容量・スイッチング特性
MOSFET:ボディーダイオード

関連情報

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