MOSFET：電気的特性

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≪熱抵抗特性≫
チャネル温度を計算するために使用します。

熱抵抗特性

≪電気的特性≫

  • ゲート漏れ電流 (IGSS)
    ゲート･ソース間のしゃ断電流です。
  • ドレインしゃ断電流 (IDSS)
    ドレイン･ソース間のしゃ断電流です。
  • ドレイン･ソース間降伏電圧 (V(BR)DSS)
    ドレイン･ソース間のブレークダウン電圧。チャネルが形成されないようにゲートとソース間をショートします。
  • ゲートしきい値電圧 (Vth)
    規定のドレイン電流を流すゲート･ソース間の電圧です。
  • ドレイン･ソース間オン抵抗 (RDS(ON))
    バイポーラートランジスターのコレクター･エミッター間飽和電圧VCE(sat)に対応するものです。指定の条件での電圧降下を抵抗として表したものです。正の温度係数を持っています。
  • 順方向伝達アドミタンス (|Yfs|)
    出力電流の変化分とゲート入力電圧の変化分の比です。単位は“S”: ジーメンス、[A]/[V]です。
電気的特性

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
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バイポーラートランジスター
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抵抗内蔵型トランジスター
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JFET
詳細
MOSFET
詳細
BJTとMOSFETの動作
詳細
MOSFETの構造と動作
詳細
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
詳細
MOSFET：低RDS(ON)化
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Super Junction MOSFET
詳細
MOSFETの構造別特長
詳細
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
詳細
MOSFET：アバランシェ耐量
詳細
MOSFET：容量特性
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MOSFET：安全動作領域(SOA)
詳細
IGBT
詳細
IGBTの動作
詳細
IGBT：縦方向デザインの進化
詳細
RC-IGBT/IEGTとは
詳細
IGBTの応用機器
詳細
IGBTとMOSFETの比較
詳細
各トランジスターの比較まとめ
詳細
MOSFET：最大定格
詳細
MOSFET：容量・スイッチング特性
詳細
MOSFET：ボディーダイオード
詳細

関連情報

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