3-24. MOSFET：電気的特性

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≪熱抵抗特性≫
チャネル温度を計算するために使用します。

熱抵抗特性

≪電気的特性≫

  • ゲート漏れ電流 (IGSS)
    ゲート･ソース間のしゃ断電流です。
  • ドレインしゃ断電流 (IDSS)
    ドレイン･ソース間のしゃ断電流です。
  • ドレイン･ソース間降伏電圧 (V(BR)DSS)
    ドレイン･ソース間のブレークダウン電圧。チャネルが形成されないようにゲートとソース間をショートします。
  • ゲートしきい値電圧 (Vth)
    規定のドレイン電流を流すゲート･ソース間の電圧です。
  • ドレイン･ソース間オン抵抗 (RDS(ON))
    バイポーラートランジスターのコレクター･エミッター間飽和電圧VCE(sat)に対応するものです。指定の条件での電圧降下を抵抗として表したものです。正の温度係数を持っています。
  • 順方向伝達アドミタンス (|Yfs|)
    出力電流の変化分とゲート入力電圧の変化分の比です。単位は“S”: ジーメンス、[A]/[V]です。
電気的特性

第3章　トランジスター

3-1. トランジスターの種類
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3-2. バイポーラートランジスター
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3-3. 抵抗内蔵型トランジスター
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3-4. JFET
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3-5. MOSFET
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3-6. BJTとMOSFETの動作
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3-7. MOSFETの構造と動作
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3-8. MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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3-9. MOSFET：低RDS(ON)化
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3-10. Super Junction MOSFET
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3-11. MOSFETの構造別特長
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3-12. MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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3-13. MOSFET：アバランシェ耐量
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3-14. MOSFET：容量特性
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3-15. MOSFET：安全動作領域(SOA)
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3-16. IGBT
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3-17. IGBTの動作
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3-18. IGBT：縦方向デザインの進化
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3-19. RC-IGBT/IEGTとは
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3-20. IGBTの応用機器
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3-21. IGBTとMOSFETの比較
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3-22. 各トランジスターの比較まとめ
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3-23. MOSFET：最大定格
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3-25. MOSFET：容量・スイッチング特性
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3-26. MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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